栅极比是描述晶体管输入特性的一个重要参数，它定义为栅源电压与饱和栅极电压的比值。在MOSFET晶体管中，栅极比影响着晶体管的导电性能。

使用步骤：

1. 输入栅源电压 (Vgs)。
2. 输入饱和栅极电压 (Vgsat)。
3. 点击“计算”按钮，计算栅极比。
4. 查看计算结果。

确保输入正确的电压值以获得准确的计算结果。